Անցումներ

Վիքիպեդիայից՝ ազատ հանրագիտարանից
Jump to navigation Jump to search

Անցումներ կիսահաղորդչային սարքերում, կիսահաղորդիչներում ընթացող երևույթներ, որոնց վրա հիմնված է կիսահաղորդչային սարքերի աշխատանքը։ Անցումները կարելի է դասակարգել՝

  • Ըստ կիսահաղորդիչների էլեկտրահաղորդականության տիպի՝ էլեկտրոն–խոռոչային (P-n–անցում,), խոռոչ–խոռոչային (P+–P—անցում), էլեկտրոն–էլեկտրոնային (ո+–n—անցում) և այլն,
  • Ըստ քիմիական կառուցվածքի՝ հոմոգեն անցում (կամ հոմոանցամներ), երբ անցումն ստեղծվում է մի տիպի կիսահաղորդչի բյուրեղի ներսում, և հետերոգեն անցում (կամ հետերոանցումներ), երբ անցումն ստեղծվում է երկու տարբեր կիսահաղորդիչների բյարեղայիև ցանցերի հպման տեղում։

Առավել հետաքրքրաթյուն են ներկայացնում տարբեր արգելված գոտիներով կիսահաղորդիչների միջև գոյացող հետերոանցումները։

Ստացում[խմբագրել | խմբագրել կոդը]

Ներկայումս անցումներ են ստանում ոչ միայն սոսկ կիսահաղորդիչների, այլև կիսահաղորդիչ-մետաղ և կիսահաղորդիչ-դիէլեկտրիկ կոևտակտներում։ Միևնույն կիսահաղորդչային սարքում միաժամաևակ օգտագործվում են տարբեր տիպի և տարբեր քանակության անցում։ Այս կամ այն տիպի անցում ստանալու համար մշակված են տեխնոլոգիական տարբեր եղանակներ, որոնցից որնէ մեկի ընտրությունը կախված է այն բանից, թե ինչ նպատակով (հոսանքի ուղղում, դետեկտում, հաճախության Փոխակերպում, ազդանշանի ուժեղացում և այլն) է օգտագործվում կիսահաղորդչային սարքը։ Հաճախ անցումները անվանում են պատրաստման տեխնոլոգիական եղանակի անունով։

Միաձուլման եղանակ[խմբագրել | խմբագրել կոդը]

Առավել տարածված է միաձուլման եղանակը (միաձույլ անցումներ), երբ որևէ տիպի կիսահաղորդիչ լեգիրվում է հակառակ էլեկտրահաղորդականության կիսահաղորդչով։ Ըստ որում, այս դեպքում անցումները կարող են լինել հարթ կամ կետային՝ կախված կոնտակտային մակերևույթների ձևից ու չափից։ Մեծ նշանակություև ունի անցումների ստացումը դիֆուզման (այդ թվում՝ կրկևակի դիֆուզման) եղանակով (դիֆուզիոն անցումներ)։ Կիսահաղորդիչը տեղավորում են անցում ստանալու համար անհրաժեշտ խառնուրդների գոլորշիներ պարունակող գազի մթնոլորտում և ջերմության ազդեցության տակ խառնուրդների ատոմները դիֆուզվում են կիսահաղորդչի մեջ։

Ձգված անցում[խմբագրել | խմբագրել կոդը]

Աճեցված կամ «ձգված» անցում ստանալու համար ակցեպտորային կամ դոնորային խառնուրդները ներմուծում են կիսահաղորդչի միաբյուրեղն աճեցնելու ժամանակ։ Կոնտակտվող նյութերի միջև անհաղորդիչ (չեզոք) թաղանթ տեղավորելու միջոցով ստանում են մակերևութապատնեշային անցումներ։

Պլանար–էպիտաքսիալ տեխնոլոգիա[խմբագրել | խմբագրել կոդը]

Կիսահաղորդչային էլեկտրոնիկայի տեխնոլոգիայի կարևոր նվաճումներից է, այսպես կոչված, պլանար–էպիտաքսիալ տեխնոլոգիան, որը միավորում է դիֆուգիոն, աճեցված և մակերևութապատնեշային անցումի ստացման եղանակները։ Այն հնարավորություն է ստեղծում կիսահաղորդչային սարքերը մամլելու պլաստմասսաների մեջ, որը թույլ է տալիս ոչ միայն կիսահաղորդչային սարքերի մետաղե-ապակե իրանները փոխարինել պլաստմասսայե իրաններով, այլև մեքենայացնել ու ավտոմատացնել սարքերի հավաքման առավել աշխատատար ու դժվար գործողությունները։

Տես նաև[խմբագրել | խմբագրել կոդը]

Գրականություն[խմբագրել | խմբագրել կոդը]

  • Федотов Я. А., основы физики полупроводныкових приборов, 2 испр. и дополн. изд., М., 1969.
Այս հոդվածի կամ նրա բաժնի որոշակի հատվածի սկզբնական կամ ներկայիս տարբերակը վերցված է Քրիեյթիվ Քոմմոնս Նշում–Համանման տարածում 3.0 (Creative Commons BY-SA 3.0) ազատ թույլատրագրով թողարկված Հայկական սովետական հանրագիտարանից  (հ․ 1, էջ 460 CC-BY-SA-icon-80x15.png