Տրանզիստոր

Վիքիպեդիայից՝ ազատ հանրագիտարանից
Քանի տեսակ տրանզիստորներ

Էլեկտրոնիկայի մեջ, տրանզիստորը մի կիսահաղորդիչ սարք է, որ սովորաբար օգտագործվում է էլեկտրական ազդանշանների ուժեղացման կամ փոխանջատման համար։ Տրանզիստորը կիսահաղորդիչ նյութի մի պինդ մարմնի մասով է սարքվում, և ունի գոնե երեք տերմինալներ (մուտքեր և ելքեր)՝ արտաքին սխեմայի միանալու համար։ Լարվածությունը կամ էլեկրական հոսանքը, որ տրազիստորի մի զույգին է կիրառվում, պատճառ է դառնում նրա տերմինալների մեկ այլ զույգից դուրս հոսող էլեկտրական հոսանքի փոփոխման։ Որովհետև այսպիսով հսկված ելքային էլեկտրական ուժը կարող է հսկող մտնող ուժից շատ ավելի բարձր լինել, տրանզիստորը տալիս է ազդանշանի ուժեղացումը (ամպլիֆիկացիան)։ Տրանզիստորը ժամանակակից էլեկտրական սարքերի հիմնական բլոկն է, և օգտագործվում է ռադիոյում, հեռախոսում, համակարգչում և այլ էլեկտրական համակարգերում։ Որոշ տրանզիստորներ առանձնապես են փաթեթավորվում, սակայն մեծ մասամբ նրանք գտնվում են ինտեգրալ սխեմաներում։

Կարևորություն[խմբագրել]

Տրանզիստորը շատերի կողմից նշվում է որպես քսաներրորդ դարի «ամենամեծ» գյուտարարությունը,[1] կամ ամենամեծերից։[2] Դա ամբողջ ժամանակակից էլեկտրոնիկայի ամենակարևոր ակտիվ բաղադրիչն է։ Իր ներկա հասարակությունում կարևորությունը հիմնված է իր մասսայական արտադրության ունակության վրա՝ մի հույժ ավտոմատիզացված ընթացքով արտադրմամբ, որը պատճառ է դառնում զարմանալիորեն ցածր տրանզիստորի ծախսի։

Թեև շատ ընկերություններից ամեն մեկը միլիարդից ավել առանձնապես փաթեթավորված տրանզիստորներ է արտադրում ամեն տարի, արտադրված տրանզիստորների մեծ մասը ինտեգրալ սխեմաներում (նաև ԻՍ, միկրոսխեմա կամ չիփ անվանմամբ) են՝ դիոդների, դիմադրությունների, կոնդենսատորների և այլ էլեկտրական բաղադրիչների հետ լրիվ էլեկտրական սխեմա կազմելով։ Մի տրամաբանական էլեմենտ մոտ քսան տրանզիստոր է պարունակում, մինչ մի մինչ 2006 թվականի զարգացած միկրոպրոցեսոր կարող է 1.7 միլիարդ տրանզիստորներ (MOSFET-ներ) օգտվել։[3]

{{քաղվածք|Այս տարի [2002-ին] մոտ 60 միլիոն տրանզիստորներ են արտադրվել ... երկրագունդի [ամեն մի] տղամարդու, կնոջ և երեխայի համար։|Քաղվածելու սխալ՝ Closing </ref> missing for <ref> tag

Ուրեմն, մի առանձին տրանզիստոր կարող է նկարագրվի որպես՝ «սիլիցիում, մակերեսային տեղադրվող, BJT, NPN, ցածր ուժի, բարձր հաճախականության փոխանջատող»

BJT PNP symbol.svg PNP JFET P-Channel Labelled.svg IGFET P-Ch Enh Labelled.svg IGFET P-Ch Enh Labelled simplified.svg IGFET P-Ch Dep Labelled.svg P-կանալ
BJT NPN symbol.svg NPN JFET N-Channel Labelled.svg IGFET N-Ch Enh Labelled.svg IGFET N-Ch Enh Labelled simplified.svg IGFET N-Ch Dep Labelled.svg N-կանալ
BJT JFET MOSFET enh MOSFET dep
BJT, JFET և MOSFET-ի սիմվոլները

Տրանզիստորը տեսականորեն կարելի է ըդունել, որպես իրար միացրած 2 դիոդ: Միացման ընդհանուր մասը կոչվում է Baza(Բազա), մյուս երկու կողմերը Emitor(Էմիտոր) և Kalektor(Կալեկտոր):

  1. Դենիս Ֆ. Հերիք (2003). Լրատվամիջոցների Կառավարում Հսկաների Դարում՝ Լրագրության Գործարար Շարժընթացը (անգլերեն). Blackwell Publishing. ISBN 0813816998. http://books.google.am/books?id=59rxoe1IkNEC&pg=PA383&ots=UC_NxASdwo&dq=transistor+greatest-invention&sig=Ul_-DYQxG7EhLsRvhE8QM821JEQ. 
  2. Ռոբերտ Վ. Պրայս (2004). Ճանապարհաուղեցույց Ձեռնարկատիրական Հաջողության (անգլերեն). AMACOM Div American Mgmt Assn. p. 42. ISBN 9780814471906. http://books.google.am/books?id=q7UzNoWdGAkC&pg=PA42&dq=transistor+inventions-of-the-twentieth-century&lr=&as_brr=3&as_pt=ALLTYPES&ei=MzJbScu0GobokATlm5Q1. 
  3. Intel-ի Բազմահիմք Պրոցեսորի Կարռուցվածքի Զարգացման Խորապատկերը (անգլերեն)