Կիսահաղորդչային դիոդ

Վիքիպեդիայից՝ ազատ հանրագիտարանից
Jump to navigation Jump to search

Կիսահաղորդչային դիոդ, դիոդ, որը հնարավորություն է տալիս միակողմանի անցկացնել լարման մեծությունը։ Կիսահաղորդչային դիոդը իրենից ներկայացնում է Si և Ge քիմիական բաղադրությամբ նյութեր, որոնք «նստեցվում» են կիսահաղորդչային հիմքի վրա ստացված տարերով։ Կիսահաղորդիչների մեջ մոլկուլները շարժվում են քաոսային վիճակում։ Այդ քաոսային շարժումը միացման գոտում առաջացնում է արգելափակիչ շերտ։ Այդ շերտը որը օժտված է դրական պոտենցիալով կոչվում է խոռոչ՝ p, իսկ այն կիսահաղորդիչը որը օժտված է բացասական պոտենցիալով կոչվում է էլեկտրոնային՝n ։ Անցումը կոչվում է խոռոչաէլեկտրոնային։

Գոյություն ունեն 2 տիպի հաղորդականության կիսահաղորդիչներ՝ p(ակցեպտորային խառնուրդով) և n (դոնորային խառնուրդով)։ խառնուրդային մակարդակներ Ակցեպտորային(եռավալենտ) խառնուրդի դեպքում ակցեպտորը երեք էլեկտրոն վերցնելով կիսահաղորդչից, ստեղծում է կովալենտ կապեր, սակայն՝ մեկը մնում է պակաս։ Դեռևս սենյակային ջերմաստիճանում ակցեպտորը կարողանում է«զավթել» այդ մեկ էլեկտրոնը, կիսահաղորդչի ատոմում առաջացնելով «թափուր» տեղ՝ «խոռոչ»։ Էներգիայի այն մակարդակը, որն անհրաժեշտ է 0Կ ջերմաստիճանում այդ էլեկտրոնը «զավթելու համար», և որը գտնվում է վալենտական գոտու առաստաղից վեր(p տիպի կիսահաղորդչում), կոչվում է ակցեպտորային մակարդակ։ Դոնորային(քառավալենտ) խառնուրդի դեպքում ակցեպտորը երեք էլեկտրոն վերցնելով կիսահաղորդչից, ստեղծում է կովալենտ կապեր, սակայն՝ մեկը մնում է ավելորդ։ n կիսահաղորդչում էլեկտրոնների քանակը հաղորդականության գոտում մեծ է,

Էներգիայի այն մակարդակը, որն անհրաժեշտ է 0Կ ջերմաստիճանում ազատ էլեկտրոնը հաղորդականության գոտի անցկացնելու համար, և որը գտնվում է հաղորդականության գոտու հատակից վար(n տիպի կիսահաղորդչում), կոչվում է դոնորային մակարդակ։ Բացարձակ զրո ջերմաստիճանում դոնորային բոլոր մակարդակները(իրականում դա ոչ թե մեկ մակարդակ է, այլ տարբեր մակարդակներից բաղկացած գոտի) զբաղված են էլեկտրոններով և ջերմաստիճանի աճին զուգընթաց, դրանք անցնում են հաղորդականության(ազատ) գոտի։