Էլեկտրոնիկան և միկրոէլեկտրոնիկան Հայաստանում

Միկրոէլեկտրոնիկայի զարգացումն սկսվել է 1950-ական թվականների կեսերից։ 1954-1955 թվականներին հայ գիտնականները (Թ. Տեր-Միքայելյան և ուրիշներ) Մոսկվայում Ա. Իոսիֆյանի և Ի. Բրուկի ղեկավարությամբ մասնակցել են ԽՍՀՄ-ում 1-ին ԷՀՄ-ներից մեկի՝ Մ-3-ի մշակմանը, որի կատարելագործված տարբերակը՝ «Գոհար» անվանումով, հետագայում օգտագործվել է ՀԽՍՀ ԳԱ-ում։ Այդ ժամանակաշրջանում ԵՊՀ էլեկտրոնիկայի ամբիոնում կատարվել են էլեկտրոնիկայի, մասնավորապես՝ կիսահաղորդչային էլեկտրոնիկայի բնագավառի ԳՀ աշխատանքներ (Հ. Անժուրի, իսկ ավելի ուշ՝ Հ. Աթոյանի ղեկավարությամբ)։ ՀԽՍՀ ԳԱ Ֆիզիկայի ինստիտուտում մշակվել են տիեզերական ճառագայթների (ՏՃ) գրանցման և ուսումնասիրման էլեկտրոնային սարքեր (Մ. Այվագյան և ուրիշներ)։

1960-2000 թվականներին

1960-ական թվականներին կատարվել են նաև ուժային տրանզիստորների տեսության (Գ. Ավագյանց և ուրիշներ), ունիվերսալ սնման աղբյուրների (ժ. Մկրտչյան և ուրիշներ), շեմային տրամաբան, տարրերի (Ս. Մկրտչյան և ուրիշներ), թաղանթային ինտեգրալ սխեմաների (Կ. Եղյան և ուրիշներ) մշակումներ, որոնք ծավալվել են հիմնականում ՀԽՍՀ ԳԱ և ԵՊՀ հաշվող, կենտրոնում (հիմնական՝ 1957, այժմ՝ ՀՀ ԳԱԱ Ինֆորմատիկայի և ավտոմատացման հիմնահարցերի ինստիտուտ)։ 1958 թվականին Ա. Իոսիֆյանի նախաձեռնությամբ՝ Երևանում կառուցվել է Մետաղակերամիկայի կիսահաղորդիչների գործարան (1960 թվականից՝ Կիսահաղորդչային տեխնիկայի ՀԿՏԲ, հետագայում՝ «Տրանզիստոր» ձեռնարկություն)։ 1960-1961 թվականներին այդ ձեռնարկությունը ԽՍՀՄ-ում առաջիններից է թողարկել կիսահաղորդչային ուժային դիողներ, տրանզիստորներ և տիրիստորներ։ 1960-1970 թվականներին «Տրանզիստորում» մշակվել են բարձր լարման (մինչև 100 Ա և 2000 Վ) գերմանիումային ու սիլիցիումային դիողներ ու տիրիստորներ, 1973 թվականին ստեղծվել է հզոր կիսահաղորդչային տրանզիստորների կառուցման դիֆուզային-էպիտաքսային տեխնոլոգիա։ 1983 թվականին «Տրանզիստոր» ձեռնարկության ԳՀ լաբորատորիայում (հիմնական՝ 1980) մշակված մեքենայական գործիքների էլեկտրոնային դրայվերում կիրառվող երկբևեռ տրանզիստորը (40 Ա և 1000 Վ) համամիութենական մրցույթում գրավել է առաջին տեղը։ 1982 թվականին մշակվել են ավելի քան 0,5 մկ/վ վերականգնման ժամանակով հզոր, բարձր լարման դիողների, ինչպես նաև սիլիկոնային դիֆուզիայի նստեցման կառուցվածքներով արտադրության տեխնոլոգիաներ։ 1985 թվականին լայն միջակայքի էլեկտրոնային բաղադրիչների արտադրության համար օգտագործվել է գալիումի դիֆուզիայի, ապակու պասսիվացման, արատների հայտնաբերման, ընտրող, ճառագայթման կիրառմամբ եզակի պլանար տեխնոլոգիա։ 1988 թվականին «Անգստրեմ» (Ռուսաստան, քաղաք Ջելենոգրադ) գործարանի մասնագետների հետ մշակվել է բարձր լարման դաշտային տրանզիստորների պատրաստման տեխնոլոգիա։ 1988 թվականին «Տրանզիստոր» ձեռնարկությունը, «Աշտարակ» գործարանը և «Տրանզիստոր-Կերմետ» մասնաճյուղային ձեռնարկությունը (նախկին ԵՄՄԳՀՀ-ի տեխնոլոգ, բաժինը) միավորվել են «Տրանզիստոր» ԳԱՄ-ում։ 1960-ական թվականներին Է. Միրզաբեկյանի գլխավորությամբ կատարվել են գերզգայուն ուժեղացուցիչների մշակման քվանտային կիսահաղորդչային էլեկտրոնիկայի տարրերի մշակման աշխատանքներ։ 1964 թվականին Աբովյան քաղաքում բացվել են ռադիոտարրերի, մասնավորապես՝ վարիստորների, գործարանները, 1965 թվականին՝ միկրոէլեկտրոնիկայի «Պոզիստոր» միավորումը՝ «Սիրիուս» գործարանով՝ դիոդներ և հիբրիդային ինտեգրալ սխեմաներ արտադրելու համար։ 1966 թվականին Երևանում հիմնադրվել է Միկրոէլեկտրոնիկայի տեխնոլոգիական ԳՀԻ-ն (1981 թվականից՝ «Անի» ԳԱՄ), որի կազմում ներառված էին «Գառնի», «Արաքս», «Լալվար», հետագայում նաև Աբովյանի միկրոէլեկտրոնիկայի գործարանները։ «Անի» ԳԱՄ-ում մշակվել են միկրոէլեկտրոնային սխեմաներ։ Այն ԽՍՀՄ առաջատարն էր՝ ինտեգրալ տեխնիկայի արտադրության, ավտոմատացված չափիչ սարքերի, նաև ճկուն մագնիս, սկավառակներով հիշողության սարքերի մշակման, միկրոսխեմաների լազերային արատանշման ոլորտներում։ 1973-1974 թվականին «Գառնի»-ում մշակվել են երկրամերձ ուղեծիր դուրսբերման և արտամթնոլորտային հետազոտությունների համար նախատեսված «Օրիոն-1» և «Օրիոն-2» կայանների էլեկտրոնային սարքավորումները (Գ. Գուրզադյան և ուրիշներ)։ Երևանի կապի միջոցների ԳՀհ-ում՝ (հիմնական՝ 1978, Մոսկվայի Ռադիոկապի ԳՀհ-ի մասնաճյուղը) մշակվել և արտադրվել են բարակ թաղանթային (նրբաշերտ) տեխնոլոգիայով (նվազագույն չափը՝ 1 մկմ) բարձրորակ արտադրանք, այդ թվում՝ պատվիրված հիբրիդային ինտեգրալ միկրոսխեմաներ։ 1983 թվականին Բյուրականի աստղադիտարանի աշխատակիցների մասնակցությամբ կառուցվել և Տիեզերք է արձակվել «Աստրոն» աստղաֆիզիկական արբանյակը, ղեկավար՝ Յու. Խոջոյան, ԽՍՀՄ Պետական մրցանակ (հեղինակային խումբ) և ՀԼԿԵՄ մրցանակ (երիտասարդ մասնագետներ)՝ 1984։ 1983-ին Միկրոէլեկտրոնիկայի ԳՀ տեխնոլոգ, ինստիտուտում (ղեկավար՝ Լ. Աբրահամյան, ՀԼԿԵՄ մրցանակ, 1984) մշակվել և ներդրվել է վերահսկիչ-չափիչ սարքերի «Գամմա» ընտանիքը։ 1984 թվականից երկրում էլեկտրոնային արդյունաբերության զարգացումն ընթացել է քվանտային գեներատորների (Մ. Տեր-Միքայելյան և ուրիշներ), լուսաընդունիչների և լուսափոխակերպիչների (Վ. Հարությունյան և ուրիշներ), ինտեգրալ սխեմաների (ԻՍ) և միկրոհավաքածուների (Մ. Մկրտչյան և ուրիշներ) մշակման ուղղություններով։ Ստեղծվել են էլեկտրոնային սարքերի տարրերի լազերային մշակման տեխնոլոգիայի գիտական հիմքերը (Լ. Գասպարյան և ուրիշներ, ԽՍՀՄ Պետական մրցանակ, 1986)։ 1970-1990 թվականներին Հայաստանում գործել են նաև ԽՍՀՄ ռազմարդյունաբերական համալիրի համար էլեկտրոնային և միկրոէլեկտրոնային սարքեր մշակող և արտադրող «Ագաթ» ԳՀհ-ն, «Բազալտ» գործարանը, «Հայավիահամալիր» ԳԱՄ-ը, «Հրազդանմաշ» ԳԱՄ-ը և այլ ձեռնարկություններ։ ԵՊՀ կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոնում (Վ. Հարությունյան) ու նրան կից կիսահաղորդչային սարքերի ունանոտեխնոլոգիաների կենտրոնում (գործադիր տնօրեն՝ Վ. Առաքելյան) վերջին 2 տասնամյակում աշխատանքներ են կատարվում Արեգակի էներգիայի լուսավոլտային, լուսաէլեկտրաքիմիական և ջերմալուսավոլտային բարձր արդյունավետ փոխակերպիչների մշակման ուղղությամբ։ Լուսավոլտային փոխակերպիչների համար առաջարկվել են նոր տիպի հակաանդրադարձնող կառուցվածքներ, որոնք զգալիորեն փոքրացնում են անդրադարձումը փոխակերպիչների մակերևույթից և մեծացնում փոխակերպման օգտակար գործողության գոր]ակիցը։ Մետաղօքսիդային կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքների հիման վրա մշակվել և ստեղծվել են պայթյունավտանգ, թունավոր, հրավտանգ գազերի հայտնաբերման բարձր զգայուն և սպառման փոքր հզորության տվիչներ և էլեկտրոնային «քիթ»։ Միջավայրում ծխի ու ջրածնի հայտնաբերման համար ԵՊՀ-ում ստեղծված տվիչները փոքր քանակներով ներդրվել են ՀՀ արդ-յան մեջ (Վ. Հարությունյան, Վ. Առաքելյան, Ձ. Արամյան, Խ. Մարտիրոսյան և Գ. Շահնազարյան, ՀՀ նախագահի մրցանակ, 2006)։ Ամբիոնում և կենտրոնում կարևոր հետազոտություններ են կատարվում կիսահաղորդիչ-հեղուկ բյուրեղ սահմանում դիտվող երևույթների հետազոտման և դրանց հիման վրա օպտիկ, սարքերի ստեղծման ուղղությամբ (Հ. Մարգարյան և ուրիշներ)։ Աճեցվել են քվանտային կետեր և ելուստներ պարունակող կիսահաղորդչային բարակ թաղանքներ, դրանց հիման վրա ստեղծվել են սարքեր (Կ. Ղամբարյան, Ս. Պետրոսյան, Վ. Գևորգյան և ուրիշներ)։ Հետազոտվել են կիսահաղորդչային սարքերում ցածրհաճախային աղմուկների սպեկտրի առանձնահատկությունները և ղրանց կիրառության հնարավորությունները զգայունաչափության մեջ (Ֆ. Գասպարյան, Ս. Մելքոնյան, Ջ. Մխիթարյան և ուրիշներ)։ ՀՊՃՀ-ում մշակվել է ֆիզիկական նոր սկզբունքով աշխատող բազմանպատակային սպեկտրային վերլուծության փոքրաչափ սարք (ղեկավար՝ Ս. Խուդավերդյան)՝ նախատեսված կենսաօբյեկտներում, խմելու ջրում և օդում վնասակար նյութերի, թմրադեղերի, պայթուցիկ նյութերի դաշտային պայմաններում օպտիկ, հեռաճանաչման համար։ Իրականացվել է փաթեթների կոմուտացմամբ կորպորատիվ-տեխնոլոգիական ցանցերի համակարգչային մոդելավորում, և դրա հիման վրա մշակվել ցանցերի հետազոտման և օպտիմալացման գործն, եղանակներ։ Արդյունքները ներդրվել են «Հայռուսգազարդ» ձեռնարկությունում (ղեկավար՝ Վ. Առուստամյան)։ «Վիրաժ Լոջիկ Ինտերնեյշնլ» կորպորացիայի (ԱՍՆ, Կալիֆոռնիա) երևանյան մասնաճյուղում (հիմնական՝ 1999) մշակվել են ներկառուցված թեստավորման և վերականգնման միջոցներ (2010 թվականին կորպորացիան ներառվել է «Սինոփսիսի» կազմի մեջ)։

2000 թվականից հետո

2000 թվականին ստեղծված «Վիասֆեր Տեխնոպարկ» ՓԲԸ-ի (կազմավորվել է «Տրանզիստոր» ԳԱՄ-ի, «Տրանզիստոր-Կերմետ» ՍՊԸ-ի և «Սին-Կրիստալ» ընկերությունների ու նախկին «Աշտարակ» գործարանի հիմքի վրա) գործունեության գերակա ուղղություններն են տեղեկատվ. տեխնոլոգիաները, միկրոէլեկտրոնիկան, ինտեգրալ սխեմաների նախագծումը։ 2000 թվականին Հայաստանում մասնաճյուղեր են ստեղծել ԻՍ-ների նախագծման ամերիկյան առաջատար «Վիրաժ Լոջիկ», «էյջ Փի էլ», «էյ Փի Ջի Լաբս», «էյ Փի Ջի Տեքնոլոջիս» ընկերությունները։ Մասնավորապես «Լեդա Սիսթեմս»-ի, «Մոնթերեյ Արսեթ»-ի և «էյջ Փի էլ»-ի նկատելի հաջողությունները Հայաստանում նախապատրաստել են այդ բնագավառի համաշխ. առաջատար «Սինոփսիս» ընկերության մուտքը Հայաստան։ «Լեդա Սիսթեմս» ընկերությունը (ԱՄՆ, նախագահ՝ Վ. Մուրադյան) Երևանում ստեղծել է իր մասնաճյուղը (գլխավոր տնօրեն՝ Հ. Մուսայելյան), որը 2003-ին վերանվանվել է «Լեդա Դիգայն»-ի և կատարում է հիմն, թվային ստանդարտ բջիջների և մուտքի-ելքի հանգույցների գրադարանների, թվային, անալոգային և անալոգաթվային «մտավոր սեփականության» հանգույցների, ինչպես նաև ամբողջական ԻՍ-ների մշակման աշխատանքներ։ 2001-ին՝ ՀՊՃՀ-ի հետ կնքած համագործակցության պայմանագրով ինստիտուտում հիմնադրվել է «Միկրոէլեկտրոնային սխեմաներ և համակարգեր» միջֆակուլտետային ամբիոնը (վարիչ՝ Վ. Մելիքյան)։ 2004-ին «Սինոփսիսը» Երևանում հիմևադրել է ճարտարագիտական նախագծման «Սինոփսիս Արմենիա» կազմակերպությունը (նախագահ՝ Ռ. Գոլդման, գլխավոր տնօրեն՝ Հ. Մուսայելյան)։ Այն հիմնականում մշակում և սպասարկում է 2 հիմնական հենքերի՝ նախագծման Galaxy-ի և նախագծերի ստուգման Discovery-ի վրա հիմնված արտադրանքներ, որոնց հենքերը ԻՍ-ների նախագծման և ստուգման ծրագրային գործիքային միջոցների ամբողջական փաթեթ են։ «Սինոփսիսը» համագործակցում է ՀՊՃՀ-ի, ԵՊՀ-ի, Հայ-ռուսական (Սլավոնական) համալսարանի ու Մոսկվայի էլեկտրոնային տեխնիկայի ինստ-ի հետ և նրանց ապահովում իր ծրագրային գործիքներով ու տեխնոլոգիաներով։ գիտական հետազոտություններ կատարվում են նաև ՀՊՃՀ-ի միջֆակուլտետային ամբիոնում, մասնավորապես՝ ցածր էներգասպառման և բարձր արագագործության ինտեգրալ սխեմաների նախագծման մեթոդների վերաբերյալ (Վ. Մելիքյան, ՀՀ նախագահի մրցանակ, 2010)։

Այս հոդվածի կամ նրա բաժնի որոշակի հատվածի սկզբնական տարբերակը վերցված է Հայաստան հանրագիտարանից, որի նյութերը թողարկված են Քրիեյթիվ Քոմմոնս Նշում–Համանման տարածում 3.0 (Creative Commons BY-SA 3.0) թույլատրագրի ներքո։