Երկբևեռ տրանզիստոր

Վիքիպեդիայից՝ ազատ հանրագիտարանից
Jump to navigation Jump to search
BJT PNP symbol (case).svg
BJT NPN symbol (case).svg
Սխեմատիկ սիմվոլներ PNP- and NPN-տիպի ԵՀՏ-ի համար։

Երկբևեռ հանգույցային տրանզիստոր (ԵՀՏ կամ երկբևեռ տրանզիստոր), տրանզիստորի տեսակ է, որը կազմված է երկու տիպի կիսահաղորդչային կոնտակներից։ ԵՀՏ-ներն կարող են օգտագործվել, որպես ուժեղարարներ, փոխարկիչներ, կամ որպես տատանակներ (օսկիլյատոր)։ ԵՀՏ-ները կարող են նաև հանդես գալ ինչպես անհատական դիսկրետ բաղադրիչներ այնպես էլ որպես ինտեգրալ սխեմաների բաղադրիչ մասեր։

Երկբևեռ տրանզիստորներին անվանում են այսպես, քանի որ նրանց գործունեության մեջ ընդգրկվում են և՛ էլեկտրոնները և՛ խոռոչները։ Այս երկու տեսակի լիցք կրողները՝ քվազիմասնիկները, բնութագրվում են երկու տեսակի նյութերով՝ դոպինգ կիսահաղորդչային (դոպված,n) կամ կիսահաղորդչային(p), ընդորում էլեկտրոնները ավելի շատ են n-տիպի կիսահաղորդիչներում, մինչդեռ էլեկտրոնային խոռոչները՝ p-տիպի կիսահաղորդիչներում։ Ի տարբերություն սրանց, միաբևեռ տրանզիստորները, ինչպիսիք են տեղային տրանզիստորները ունեն մեկ տեսակի քվազիմասնիկներ։

Լիցքերի հոսքը ԵՀՏ-ում տեղի է ունենում կիսահաղորդչային քվազիմասնիկների դիֆուզիայի միջոցով օգտագործելով երկու տարբեր մակերեսներում կենտրոնացված լիցքերի հանգույցը։ ԵՀՏ-ների այդ տարածքները անվանում են՝ արտանետող/էմիտոր, հավաքող/կոլեկտոր, և հիմքը/բազա։ Որպես կանոն, էմիտորային մակերեսները ավելի սեղմված են համեմատած մյուս երկուսի հետ, մինչդեռ քվազիմասնիկային կոնցետրացիանների շերտերը մեծապես գտնվում են բազայում և կոլեկտորում և գրեթե նույնն են։ Ըստ նախագծման, հիմնական ԵՀՏ-ների հոսանքը առաջանում է լիցքերի հոսքի ներարկում դեպի բարձր կոնցենտրացված էմիտորից դեպի բազա ֆիզիկական երոևույթի միջոցով, իսկ բազայում փոքր չափի կրիչներն են, որն էլ այն տարածում է դեպի կոլեկտոր, և այսպիսով ԵՀՏ-ը դասակարգվում են, որպես փոքր-կրիչավոր սարքեր։

Ներածություն[խմբագրել | խմբագրել կոդը]

NPN ԵՀՏ E–B հանգույցի առջևի կողմի հետ և B–C հանգույցի հակառակ կողմի հետ

ԵՀՏ-ները հանդես են գալիս երկու տիպով, կամ բևեռացումներով՝ PNP և NPN, հիմնված լինելով դոպինգ տեսակի երեք հիմնական թերմինալ տարածքներում։ NPN տրանզիստորը բաղկացած է երկու կիսահաղորդչային հանգույցներից որոնք կիսում են p-դոպված անոդ տարածքը, և PNP տրանզիստորը, որը բաղկացած է երկու հանգույցից՝ կիսելով փոքր n-դոպված կաթոդ տարածք։

Տիպիկ շահագորշման ժամանակ, բազային էմիտորը p-n հանգույցը առջևի կողմում է, ինչը նշանակում է, որ p-դոպված հանգույցի կողմը կրում է ավելի դրական ներուժ, քան n-դոպված կողմը, և բազային կոլեկտորի հանգույցը կողմորոշված է հակադիր։ Երբ NPN տրանզիստորում դրական կողմնորոշվածները կիրառկված են բազային եմիտորի հանգույցում ապա հավասարակշռումը խաղտվում է թերմոգեներացված կրիչների և n-դոպված էմիտորի սպառվող տարածքների վանողական էլեկտրական դաշտի միջև։ Այն թույլ է տալիս քաոսային շարժման մեջ գտնվող էլեկտրոններին անցում կատարել էմիտորից դեպի բազային տարածք։ Այս էլեկտրոնները ցրվում են բազայի օգնությամբ՝ առջի էմիտորին մոտ բարձր կոնցենտրացված դիրքից դեպի կոլեկտորին մոտ ցածր կոնցենտրացված դիրք։ Բազայի էլեկտրոնները կոչվում են «փոքր կրիչներ», քանի որ բազան դոպված է p-տիպի, որը ստեղծում է խոռոչներ «մեծածավալ կրիչներ» բազայում։

External links[խմբագրել | խմբագրել կոդը]

Կաղապար:External links