Ֆոտոպլաստիկության երևույթ
Ֆոտոպլաստիկության երևույթ, ֆոտոճկունության երևույթ, բյուրեղների դարձելի ամրապնդումը լույսի ազդեցությամբ։
1968 թվականին հայտնաբերել են Յուրի Օսիպյանը և գիտնական Ի․ Բ․ Սավչենկոն։ Ֆոտոպլաստիկության երևույթը դիտվում է A11 և JIV խմբի գործնականորեն բոլոր կիսահաղորդիչներում։ Փորձարարական տվյալները հիմք են տալիս ենթադրելու, որ Ֆոտոպլաստիկության երևույթը բնորոշ է կիսահաղորդչային բոլոր նյութերին։ Բյուրեղների ամրապնդումը կապված է լույսի ազդեցությամբ կիսահաղորդիչի էլեկտրոնային ենթահամակարգի գրգռման հետևանքով դիսլոկացիաների շարժման պայմանների փոփոխության հետ։ էլեկտրոն-խոռոչային զույգերի առաջացումը կարող է խոչընդոտել դիսլոկացիաների շարժմանը ինչպես լույսի ազդեցությամբ բյուրեղում «երկարակյաց» ֆոտոարգելակիչների առաջացման հաշվին, այնպես էլ դիսլոկացիաների էլեկտրական լիցքի փոփոխության հետևանքով։ Դեֆորմացիայի պայմանների փոփոխությունը կարող է հանգեցնել երևույթի նշանի փոփոխության, այսինքն՝ լույսի ազդեցությամբ բյուրեղի թուլացման (բացասական Ֆոտոպլաստիկության երևույթ)։ Ֆոտոպլաստիկության երևույթը լայնորեն կիրառվում է կիսահաղորդչային սարքերի, ինչպես նաև օպտիկական քվանտային գեներատորների համար օպտիկական« լուսամուտների» պատրաստման տեխնոլոգիայում։
Գրականություն[խմբագրել | խմբագրել կոդը]
- О с и п ь я н К)․ А․, Савченко И․ Б․, Экспериментальное наблюдение влияния света (на пластическую деформацию сульфида кадмия, «Письма в журнал экспери¬ ментальной и теоретической физики», т․ 7, в․ 4, 1968;
- Варданян Р․ А․, Кравченко В․ Я․, Осипьян Ю․ А․, К вопросу о механизме фотопластического эффекта, նույն տեղում, т․ 40, в․ 6, 1984․
Այս հոդվածի կամ նրա բաժնի որոշակի հատվածի սկզբնական կամ ներկայիս տարբերակը վերցված է Քրիեյթիվ Քոմմոնս Նշում–Համանման տարածում 3.0 (Creative Commons BY-SA 3.0) ազատ թույլատրագրով թողարկված Հայկական սովետական հանրագիտարանից։ 
|
|
Սա անավարտ հոդված է։ Դուք կարող եք օգնել Վիքիպեդիային՝ ուղղելով և լրացնելով այն։ Այս նշումը հարկավոր է փոխարինել համապատասխան թեմատիկ նշումով։ |