Ռուբեն Սեյսյան

Վիքիպեդիայից՝ ազատ հանրագիտարանից
Jump to navigation Jump to search
Ռուբեն Պողոսի Սեյսյան
Ծնվել էօգոստոսի 7, 1938 (80 տարեկան)
Սոչի
ՔաղաքացիությունFlag of Russia.svg Ռուսաստան
ԱզգությունՀայ
ՄասնագիտությունՄիկրո(նանո)էլեկտրոնիկա հիմունքներ, նանոլիտոգրաֆիա, կիսահաղորդչային սպեկտրոսկոպիա
Հաստատություն(ներ)ՌԳԱ Ա.Ֆ. Իոֆֆեի անվ. ֆիզիկատեխնիկական ինստիտուտի նանոհետերոկառուցվածքային ֆիզիկայի կենտրոնի «Ֆունկցիոնալ և ֆիզիկական միկրոէլեկտրոնիկայի» լաբորատորիայի վարիչ։ “Okno v Micromir” գիտակրթական ամսագրի գլխավոր խմբագիր
Ալմա մատերԼենինգրադի էլեկտրատեխնիկական ինստիտուտ
Գիտական աստիճանպրոֆեսոր

Ռուբեն Պողոսի Սեյսյան (1938, օգոստոսի 7, Սոչի), ֆիզիկոս։ Ֆիզմաթ գիտությունների դոկտոր (1978), պրոֆեսոր (1983ՀՀ ԳԱԱ արտասահմանյան անդամ (28.11.2008)։

Կենսագրություն[խմբագրել | խմբագրել կոդը]

1960 թվականին ավարտել է Լենինգրադի էլեկտրատեխնիկական ինստիտուտը։ 1981 թվականից Սանկտ Պետերբուրգի պետական տեխնիկական համալսարանի պինդ մարմինների էլեկտրոնիկայի ամբիոնի, Իոֆֆեի անվան ֆիզտեխնիկական ինստիտուտի ֆունկցիոնալ և ֆիզիկական միկրոէլեկտրոնիկայի լաբորատորիայի վարիչ[1][2]։

Գիտական աշխատանքներ[խմբագրել | խմբագրել կոդը]

Աշխատանքները վերաբերում են միկրոէլեկտրոնային, կիսահաղորդչների մագնիսաօպտիկային, մագնիսական դաշտում կիսահաղորդիչների միջգոտիական կլանման տեսական և փորձարարական հետազոտություններին։

Երկեր[խմբագրել | խմբագրել կոդը]

  • Спектроскопия диамагнитных экситонов, М., 1984.

Ծանոթագրություններ[խմբագրել | խմբագրել կոդը]

  1. Ով ով է. Հայեր. Կենսագրական հանրագիտարան, հատոր երկրորդ, Երևան, 2007 
  2. Հովհաննես Հովհաննեսի Սարուխանյան, ՀՀ ԳԱԱ, Արտասահմանյան անդամներ