«Օհմի օրենք»–ի խմբագրումների տարբերություն

Վիքիպեդիայից՝ ազատ հանրագիտարանից
Content deleted Content added
No edit summary
No edit summary
Տող 1. Տող 1.
{{Էլեկտրամագնիսականություն}}
{{Էլեկտրամագնիսականություն}}
'''Օհմի օրենք''' , էլեկտրական շղթայի հիմնական օրենքներից մեկը. կապ է հաստատում հաղորդիչով անցնող [[հոսանքի ուժ]]ի (I) և այդ հաղորդչի երկու սևեռված կետերի (կտրվածքների) պոտենցիալների տարբերության (լարման, U) միջև. [[File:Cs111.png|բանc111]]։ Համեմատականության r գործակիցը կոչվում է օհմական դիմադրություն կամ պարզապես հաղորդիչի տվյալ տեղամասի դիմադրություն։ Հայտնագործել է [[Գեորգ Օհմ]]ը 1826 թ-ին։
'''Օհմի օրենք''' , էլեկտրական շղթայի հիմնական օրենքներից մեկը. կապ է հաստատում հաղորդիչով անցնող I [[հոսանքի ուժ]]ի և այդ հաղորդչի երկու սևեռված կետերի (կտրվածքների) U [[Էլեկտրական լարում|պոտենցիալների տարբերության]] (լարման) միջև.


:<math>U = IR </math>
Ընդհանուր դեպքում I-ի և U-ի կախումը ոչ գծային է, սակայն գործնականում, լարումների որոշակի միջակայքում այն կարելի է համարել գծային և կիրառել Օհմի օրենքը։ Վերը գրված տեսքով Օհմի օրենքը ճիշտ է շղթայի՝ էլշուի աղբյուրներ չպարունակող տեղամասերի համար։ Այդպիսի աղբյուրների (կուտակիչ գեներատորներ ևն) առկայության դեպքում Օհմի օրենքն ունի [[File:Cs2.png|բանc2]] տեսքը, որտեղ Ɛ-ն տվյալ տեղամասում պարունակվող բոլոր աղբյուրների էլշուն է։


Համեմատականության R գործակիցը կոչվում է [[օհմական դիմադրություն]] կամ պարզապես հաղորդիչի տվյալ տեղամասի դիմադրություն։ Հայտնագործել է [[Գեորգ Օհմ]]ը 1826 թ-ին։
Փակ շղթայի համար Օհմի օրենքը ստանում է [[File:Cs33.png|բանc33]] տեսքը, որտեղ [[File:Cs4.png|բանc4]]-ն շղթայի լրիվ դիմադրությունն է՝ արտաքին r և էլշուի աղբյուրի ներքին [[File:Cs12.png|բանc12]] դիմադրությունների գումարը։

Ընդհանուր դեպքում I-ի և U-ի կախումը ոչ գծային է, սակայն գործնականում, լարումների որոշակի միջակայքում այն կարելի է համարել գծային և կիրառել Օհմի օրենքը։ Վերը գրված տեսքով Օհմի օրենքը ճիշտ է շղթայի՝ էլշուի աղբյուրներ չպարունակող տեղամասերի համար։ Այդպիսի աղբյուրների (կուտակիչ գեներատորներ ևն) առկայության դեպքում Օհմի օրենքն ունի

:<math>IR = U + \varepsilon</math>

տեսքը, որտեղ <math>\varepsilon</math>-ն տվյալ տեղամասում պարունակվող բոլոր աղբյուրների [[էլշու]]ն է։

Օհմի օրենքի ընդհանրացումը ճյուղավորված շղթայի համար [[Կիրխհոֆի կանոններ#Կիրխհոֆի երկրորդ կանոն|Կիրխհոֆի երկրորդ կանոնն]] է։

== Օհմի օրենքը փակ շղթայի համար ==
Փակ շղթայի համար Օհմի օրենքը ստանում է <math>IR_n = \varepsilon</math> տեսքը, որտեղ <math>R_n = R + R_i</math>-ը շղթայի լրիվ դիմադրությունն է՝ արտաքին R և էլշուի աղբյուրի ներքին R<sub>i</sub> դիմադրությունների գումարը։
[[Պատկեր:Vir ru.png|մինի|ձախից|U-լարում <br />
[[Պատկեր:Vir ru.png|մինի|ձախից|U-լարում <br />
I-հոսանքի ուժ<br />
I-հոսանքի ուժ<br />
R-շղթայի դիմադրություն ]]
R-շղթայի դիմադրություն ]]
Օհմի օրենքի ընդհանրացումը ճյուղավորված շղթայի համար Կիրխհոֆի երկրորդ կանոնն է։


== Օհմի օրենքը դիֆերենցիալ տեսքով ==
== Օհմի օրենքը դիֆերենցիալ տեսքով ==

12:18, 24 Նոյեմբերի 2014-ի տարբերակ

Օհմի օրենք , էլեկտրական շղթայի հիմնական օրենքներից մեկը. կապ է հաստատում հաղորդիչով անցնող I հոսանքի ուժի և այդ հաղորդչի երկու սևեռված կետերի (կտրվածքների) U պոտենցիալների տարբերության (լարման) միջև.

Համեմատականության R գործակիցը կոչվում է օհմական դիմադրություն կամ պարզապես հաղորդիչի տվյալ տեղամասի դիմադրություն։ Հայտնագործել է Գեորգ Օհմը 1826 թ-ին։

Ընդհանուր դեպքում I-ի և U-ի կախումը ոչ գծային է, սակայն գործնականում, լարումների որոշակի միջակայքում այն կարելի է համարել գծային և կիրառել Օհմի օրենքը։ Վերը գրված տեսքով Օհմի օրենքը ճիշտ է շղթայի՝ էլշուի աղբյուրներ չպարունակող տեղամասերի համար։ Այդպիսի աղբյուրների (կուտակիչ գեներատորներ ևն) առկայության դեպքում Օհմի օրենքն ունի

տեսքը, որտեղ -ն տվյալ տեղամասում պարունակվող բոլոր աղբյուրների էլշուն է։

Օհմի օրենքի ընդհանրացումը ճյուղավորված շղթայի համար Կիրխհոֆի երկրորդ կանոնն է։

Օհմի օրենքը փակ շղթայի համար

Փակ շղթայի համար Օհմի օրենքը ստանում է տեսքը, որտեղ -ը շղթայի լրիվ դիմադրությունն է՝ արտաքին R և էլշուի աղբյուրի ներքին Ri դիմադրությունների գումարը։

Պատկեր:Vir ru.png
U-լարում
I-հոսանքի ուժ
R-շղթայի դիմադրություն

Օհմի օրենքը դիֆերենցիալ տեսքով

Օհմի օրենքը կարելի է գրել դիֆերենցիալ տեսքով՝ բանc54 կամ բանc6, որտեղ յ-ն հոսանքի խտությունն է, ρ-ն՝ հաղորդչի տեսակարար դիմադրությունը, բանc7-ն՝ տեսակարար էլեկտրահաղորդականությունը, բանc10-ն՝ պոտենցիալ էլեկտրական դաշտի լարվածությունը, բանc11-ը՝ ոչ էլեկտրաստատիկ բնույթի ուժերի (ինդուկցիոն, քիմիական, ջերմային ևն) ստեղծված կողմնակի դաշտի լարվածությունը։

Օհմի օրենքը կոմպլեքս տեսքով ճիշտ է նաև սինուսարդային քվազիստացիոնար հոսանքների համար. բանc8, որտեղ բանc9-ը լրիվ կոմպլեքս դիմադրությունն է (r-ը շղթայի ակտիվ դիմադրությունն է, x-ը ռեակտիվ դիմադրությունը)։