«Օհմի օրենք»–ի խմբագրումների տարբերություն

Դիտել պատմությունը

← Նախորդ տարբ Հաջորդ տարբ →

Content deleted Content added

ՎիզուալԵլատեքստ

Գծային

14:24, 23 Մայիսի 2014-ի տարբերակ

Օհմի օրենք

Օհմի օրենք , էլեկտրական շղթայի հիմնական օրենքներից մեկը. կապ է հաստատում հաղորդիչով անցնող հոսանքի

Պատկեր:Vir ru.png

U-լարում
I-հոսանքի ուժ
R-շղթայի դիմադրություն

ուժի (I) և այդ հաղորդչի երկու սևեռված կետերի(կտրվածքների) պոտենցիալների տարբերության (լարման, U) միջև.բանc111։ Համեմատականության r գործակիցը կոչվում է օհմական դիմադրություն կամպարզապես հաղորդիչի տվյալ տեղամասի դիմադրություն։ Հայտնագործել է Գեորգ Օհմը 1826 թ-ին։ Ընդհանուր դեպքում I-ի և U-ի կախումը ոչ գծային է, սակայն գործնականում, լարումների որոշակի միջակայքում այն կարելի է համարել գծային և կիրառել Օհմի օրենքը։ Վերը գրված տեսքով Օհմի օրենքը ճիշտ է շղթայի՝ էլշուի աղբյուրներ չպարունակող տեղամասերի համար։ Այդպիսի աղբյուրների (կուտակիչ գեներատորներ ևն) առկայության դեպքում Օհմի օրենքն ունի բանc2 տեսքը, որտեղ Ɛ-ն տվյալ տեղամասում պարունակվող բոլոր աղբյուրների էլշուն է։ Փակ շղթայի համար Օհմի օրենքը ստանում է բանc33 տեսքը, որտեղ բանc4-ն շղթայի լրիվդիմադրությունն է՝ արտաքին r և էլշուի աղբյուրի ներքին բանc12 դիմադրությունների գումարը։Օհմի օրենքի ընդհանրացումը ճյուղավորված շղթայի համար Կիրխհոֆի երկրորդ կանոնն է։ Օհմի օրենքը կարելի է գրել դիֆերենցիալ տեսքով՝ բանc54 կամ բանc6, որտեղ յ-ն հոսանքի խտությունն է, ρ-ն՝ հաղորդչի տեսակարար դիմադրությունը, բանc7-ն՝ տեսակարար էլեկտրոհաղորդականությունը, բանc10ն՝ պոտենցիալ էլեկտրական դաշտի լարվածությունը, բանc11-ը՝ ոչ էլեկտրաստատիկ բնույթի ուժերի (ինդուկցիոն, քիմիական, ջերմային ևն) ստեղծված կողմնակի դաշտի լարվածությունը։Օհմի օրենքը կոմպլեքս տեսքով ճիշտ է նաև սինուսարդային քվազիստացիոնար հոսանքների համար. բանc8, որտեղ բանc9-ը լրիվ կոմպլեքս դիմադրությունն է (r-ը շղթայի ակտիվ դիմադրությունն է, x-ը ռեակտիվ դիմադրությունը)։

@@ Տող 3. / Տող 3. @@
 '''Օհմի օրենք''' , էլեկտրական շղթայի հիմնական օրենքներից մեկը. կապ է հաստատում հաղորդիչով անցնող հոսանքի [[Պատկեր:Vir ru.png|մինի|աջից|U-լարում <br />
 I-հոսանքի ուժ<br />
-R-շղթայի դիմադրություն ]] ուժի (I) և այդ հաղորդչի երկու սևեռված կետերի(կտրվածքների) պոտենցիալների տարբերության (լարման, U) միջև. U=rI։ Համեմատականության r գործակիցը կոչվում է օհմական դիմադրություն կամպարզապես հաղորդիչի տվյալ տեղամասի դիմադրություն։ Հայտնագործել է [[Գեորգ Օհմ]]ը 1826 թ-ին։ Ընդհանուր դեպքում I-ի և U-ի կախումը ոչ գծային է, սակայն գործնականում, լարումների որոշակի միջակայքում այն կարելի է համարել գծային և կիրառել Օհմի օրենքը։ Վերը գրված տեսքով Օհմի օրենքը ճիշտ է շղթայի՝ էլշուի աղբյուրներ չպարունակող տեղամասերի համար։ Այդպիսի աղբյուրների (կուտակիչ գեներատորներ ևն) առկայության դեպքում Օհմի օրենքն ունի rI=U+Ɛ տեսքը, որտեղ Ɛ-ն տվյալ տեղամասում պարունակվող բոլոր աղբյուրների էլշուն է։ Փակ շղթայի համար Օհմի օրենքը ստանում է r_nI=Ɛ տեսքը, որտեղ r_n=r+r_i-ն շղթայի լրիվդիմադրությունն է՝ արտաքին r և էլշուի աղբյուրի ներքին (r_i) դիմադրությունների գումարը։Օհմի օրենքի ընդհանրացումը ճյուղավորված շղթայի համար Կիրխհոֆի երկրորդ կանոնն է։ Օհմի օրենքը կարելի է գրել դիֆերենցիալ տեսքով՝ ρյ=E+E_կողմ. կամ յ=σ(E+E_կողմ.), որտեղ յ-ն հոսանքի խտությունն է, ρ-ն՝ հաղորդչի տեսակարար դիմադրությունը, σ=1/ρ-ն՝ տեսակարար էլեկտրոհաղորդականությունը, E-ն՝ պոտենցիալ էլեկտրական դաշտի լարվածությունը, E_կողմ.-ը՝ ոչ էլեկտրաստատիկ բնույթի ուժերի (ինդուկցիոն, քիմիական, ջերմային ևն) ստեղծված կողմնակի դաշտի լարվածությունը։Օհմի օրենքը կոմպլեքս տեսքով ճիշտ է նաև սինուսարդային քվազիստացիոնար հոսանքների համար. zI=Ɛ, որտեղ z=r+ix-ը լրիվ կոմպլեքս դիմադրությունն է (r-ը շղթայի ակտիվ դիմադրությունն է, x-ը ռեակտիվ դիմադրությունը)։
+R-շղթայի դիմադրություն ]] ուժի (I) և այդ հաղորդչի երկու սևեռված կետերի(կտրվածքների) պոտենցիալների տարբերության (լարման, U) միջև.[[File:Cs111.png|բանc111]]։ Համեմատականության r գործակիցը կոչվում է օհմական դիմադրություն կամպարզապես հաղորդիչի տվյալ տեղամասի դիմադրություն։ Հայտնագործել է [[Գեորգ Օհմ]]ը 1826 թ-ին։ Ընդհանուր դեպքում I-ի և U-ի կախումը ոչ գծային է, սակայն գործնականում, լարումների որոշակի միջակայքում այն կարելի է համարել գծային և կիրառել Օհմի օրենքը։ Վերը գրված տեսքով Օհմի օրենքը ճիշտ է շղթայի՝ էլշուի աղբյուրներ չպարունակող տեղամասերի համար։ Այդպիսի աղբյուրների (կուտակիչ գեներատորներ ևն) առկայության դեպքում Օհմի օրենքն ունի [[File:Cs2.png|բանc2]] տեսքը, որտեղ Ɛ-ն տվյալ տեղամասում պարունակվող բոլոր աղբյուրների էլշուն է։ Փակ շղթայի համար Օհմի օրենքը ստանում է [[File:Cs33.png|բանc33]] տեսքը, որտեղ  [[File:Cs4.png|բանc4]]-ն շղթայի լրիվդիմադրությունն է՝ արտաքին r և էլշուի աղբյուրի ներքին [[File:Cs12.png|բանc12]] դիմադրությունների գումարը։Օհմի օրենքի ընդհանրացումը ճյուղավորված շղթայի համար Կիրխհոֆի երկրորդ կանոնն է։ Օհմի օրենքը կարելի է գրել դիֆերենցիալ տեսքով՝ [[File:Cs54.png|բանc54]] կամ [[File:Cs6.png|բանc6]], որտեղ յ-ն հոսանքի խտությունն է, ρ-ն՝ հաղորդչի տեսակարար դիմադրությունը, [[File:Cs7.png|բանc7]]-ն՝ տեսակարար էլեկտրոհաղորդականությունը, [[File:Cs10.png|բանc10]]ն՝ պոտենցիալ էլեկտրական դաշտի լարվածությունը, [[File:Cs11.png|բանc11]]-ը՝ ոչ էլեկտրաստատիկ բնույթի ուժերի (ինդուկցիոն, քիմիական, ջերմային ևն) ստեղծված կողմնակի դաշտի լարվածությունը։Օհմի օրենքը կոմպլեքս տեսքով ճիշտ է նաև սինուսարդային քվազիստացիոնար հոսանքների համար. [[File:Cs8.png|բանc8]], որտեղ [[File:Cs9.png|բանc9]]-ը լրիվ կոմպլեքս դիմադրությունն է (r-ը շղթայի ակտիվ դիմադրությունն է, x-ը ռեակտիվ դիմադրությունը)։
 [[Կատեգորիա:Ֆիզիկայի օրենքներ]]