«Տրանզիստոր»–ի խմբագրումների տարբերություն

Վիքիպեդիայից՝ ազատ հանրագիտարանից
Content deleted Content added
չ Bot: Migrating 93 interwiki links, now provided by Wikidata on d:q5339 (translate me)
clean up, replaced: : → ։ (6) oգտվելով ԱՎԲ
Տող 1. Տող 1.
[[Պատկեր:Transistor-photo.JPG|right|thumb|200px|Քանի տեսակ տրանզիստորներ]]
[[Պատկեր:Transistor-photo.JPG|right|thumb|200px|Քանի տեսակ տրանզիստորներ]]


Էլեկտրոնիկայի մեջ, '''տրանզիստորը''' մի կիսահաղորդիչ սարք է, որ սովորաբար օգտագործվում է էլեկտրական ազդանշանների [[էլեկտրական ուժեղացնող|ուժեղացման]] կամ փոխանջատման համար։ Տրանզիստորը [[կիսահաղորդիչ]] նյութի մի պինդ մարմնի մասով է սարքվում, և ունի գոնե երեք [[տերմինալ]]ներ (մուտքեր և ելքեր)՝ արտաքին սխեմայի միանալու համար։ [[Լարվածություն]]ը կամ [[էլեկրական հոսանք]]ը, որ տրազիստորի մի զույգին է կիրառվում, պատճառ է դառնում նրա տեմինալների մեկ այլ զույգից դուրս հոսող էլեկտրական հոսանքի փոփոխման։ Որովհետև այսպիսով հսկված ելքային էլեկտրական ուժը կարող է հսկող մտնող ուժից շատ ավելի բարձր լինել, տրանզիստորը տալիս է ազդանշանի ուժեղացումը (ամպլիֆիկացիան)։ Տրանզիստորը ժամանակակից էլեկտրական սարքերի հիմնական բլոկն է, և օգտագործվում է [[ռադիո]]յում, [[հեռախոս]]ում, [[համակարգիչ|համակարգչում]] և այլ էլեկտրական համակարգերում։ Որոշ տրանզիստորներ առանձնապես են փաթեթավորվում, սակայն մեծ մասամբ նրանք գտնվում են [[ինտեգրալ սխեմա]]ներում:
Էլեկտրոնիկայի մեջ, '''տրանզիստորը''' մի կիսահաղորդիչ սարք է, որ սովորաբար օգտագործվում է էլեկտրական ազդանշանների [[էլեկտրական ուժեղացնող|ուժեղացման]] կամ փոխանջատման համար։ Տրանզիստորը [[կիսահաղորդիչ]] նյութի մի պինդ մարմնի մասով է սարքվում, և ունի գոնե երեք [[տերմինալ]]ներ (մուտքեր և ելքեր)՝ արտաքին սխեմայի միանալու համար։ [[Լարվածություն]]ը կամ [[էլեկրական հոսանք]]ը, որ տրազիստորի մի զույգին է կիրառվում, պատճառ է դառնում նրա տեմինալների մեկ այլ զույգից դուրս հոսող էլեկտրական հոսանքի փոփոխման։ Որովհետև այսպիսով հսկված ելքային էլեկտրական ուժը կարող է հսկող մտնող ուժից շատ ավելի բարձր լինել, տրանզիստորը տալիս է ազդանշանի ուժեղացումը (ամպլիֆիկացիան)։ Տրանզիստորը ժամանակակից էլեկտրական սարքերի հիմնական բլոկն է, և օգտագործվում է [[ռադիո]]յում, [[հեռախոս]]ում, [[համակարգիչ|համակարգչում]] և այլ էլեկտրական համակարգերում։ Որոշ տրանզիստորներ առանձնապես են փաթեթավորվում, սակայն մեծ մասամբ նրանք գտնվում են [[ինտեգրալ սխեմա]]ներում։


== Կարևորություն ==
== Կարևորություն ==
Տրանզիստորը շատերի կողմից նշվում է որպես քսաներրորդ դարի «'''ամենամեծ'''» գյուտարարությունը,<ref>{{cite book | title = Լրատվամիջոցների Կառավարում Հսկաների Դարում՝ Լրագրության Գործարար Շարժընթացը (անգլերեն)| author = Դենիս Ֆ. Հերիք | publisher = Blackwell Publishing | year = 2003 | isbn = 0813816998 | url = http://books.google.am/books?id=59rxoe1IkNEC&pg=PA383&ots=UC_NxASdwo&dq=transistor+greatest-invention&sig=Ul_-DYQxG7EhLsRvhE8QM821JEQ }}</ref> կամ ամենամեծերից:<ref>{{cite book | title = Ճանապարհաուղեցույց Ձեռնարկատիրական Հաջողության (անգլերեն) | author = Ռոբերտ Վ. Պրայս | publisher = AMACOM Div American Mgmt Assn | year = 2004 | isbn = 9780814471906 | page = 42 | url = http://books.google.am/books?id=q7UzNoWdGAkC&pg=PA42&dq=transistor+inventions-of-the-twentieth-century&lr=&as_brr=3&as_pt=ALLTYPES&ei=MzJbScu0GobokATlm5Q1}}</ref> Դա ամբողջ ժամանակակից [[էլեկտրոնիկա]]յի ամենակարևոր ակտիվ բաղադրիչն է։ Իր ներկա հասարակությունում կարևորությունը հիմնված է իր [[մասսայական արտադրություն|մասսայական արտադրության]] ունակության վրա՝ մի հույժ ավտոմատիզացված ընթացքով [[կիսահաղորդիչի արտադրություն|արտադրմամբ]], որը պատճառ է դառնում զարմանալիորեն ցածր տրանզիստորի ծախսի:
Տրանզիստորը շատերի կողմից նշվում է որպես քսաներրորդ դարի «'''ամենամեծ'''» գյուտարարությունը,<ref>{{cite book | title = Լրատվամիջոցների Կառավարում Հսկաների Դարում՝ Լրագրության Գործարար Շարժընթացը (անգլերեն)| author = Դենիս Ֆ. Հերիք | publisher = Blackwell Publishing | year = 2003 | isbn = 0813816998 | url = http://books.google.am/books?id=59rxoe1IkNEC&pg=PA383&ots=UC_NxASdwo&dq=transistor+greatest-invention&sig=Ul_-DYQxG7EhLsRvhE8QM821JEQ }}</ref> կամ ամենամեծերից։<ref>{{cite book | title = Ճանապարհաուղեցույց Ձեռնարկատիրական Հաջողության (անգլերեն) | author = Ռոբերտ Վ. Պրայս | publisher = AMACOM Div American Mgmt Assn | year = 2004 | isbn = 9780814471906 | page = 42 | url = http://books.google.am/books?id=q7UzNoWdGAkC&pg=PA42&dq=transistor+inventions-of-the-twentieth-century&lr=&as_brr=3&as_pt=ALLTYPES&ei=MzJbScu0GobokATlm5Q1}}</ref> Դա ամբողջ ժամանակակից [[էլեկտրոնիկա]]յի ամենակարևոր ակտիվ բաղադրիչն է։ Իր ներկա հասարակությունում կարևորությունը հիմնված է իր [[մասսայական արտադրություն|մասսայական արտադրության]] ունակության վրա՝ մի հույժ ավտոմատիզացված ընթացքով [[կիսահաղորդիչի արտադրություն|արտադրմամբ]], որը պատճառ է դառնում զարմանալիորեն ցածր տրանզիստորի ծախսի։


Թեև շատ ընկերություններից ամեն մեկը միլիարդից ավել առանձնապես փաթեթավորված տրանզիստորներ է արտադրում ամեն տարի, արտադրված տրանզիստորների մեծ մասը [[ինտեգրալ սխեմա]]ներում (նաև ԻՍ, միկրոսխեմա կամ չիփ անվանմամբ) են՝ [[դիոդ]]ների, [[դիմադրություն]]ների, [[կոնդենսատոր]]ների և այլ էլեկտրական բաղադրիչների հետ լրիվ էլեկտրական սխեմա կազմելով։ Մի [[տրամաբանական էլեմենտ]] մոտ քսան տրանզիստոր է պարունակում, մինչ մի մինչ 2006 թվականի զարգացած [[միկրոպրոցեսոր]] կարող է 1.7 միլիարդ տրանզիստորներ ([[MOSFET]]-ներ) օգտվել:<ref>[http://cache-www.intel.com/cd/00/00/20/57/205707_205707.pdf Intel-ի Բազմահիմք Պրոցեսորի Կարռուցվածքի Զարգացման Խորապատկերը (անգլերեն)]</ref>
Թեև շատ ընկերություններից ամեն մեկը միլիարդից ավել առանձնապես փաթեթավորված տրանզիստորներ է արտադրում ամեն տարի, արտադրված տրանզիստորների մեծ մասը [[ինտեգրալ սխեմա]]ներում (նաև ԻՍ, միկրոսխեմա կամ չիփ անվանմամբ) են՝ [[դիոդ]]ների, [[դիմադրություն]]ների, [[կոնդենսատոր]]ների և այլ էլեկտրական բաղադրիչների հետ լրիվ էլեկտրական սխեմա կազմելով։ Մի [[տրամաբանական էլեմենտ]] մոտ քսան տրանզիստոր է պարունակում, մինչ մի մինչ 2006 թվականի զարգացած [[միկրոպրոցեսոր]] կարող է 1.7 միլիարդ տրանզիստորներ ([[MOSFET]]-ներ) օգտվել։<ref>[http://cache-www.intel.com/cd/00/00/20/57/205707_205707.pdf Intel-ի Բազմահիմք Պրոցեսորի Կարռուցվածքի Զարգացման Խորապատկերը (անգլերեն)]</ref>


{{քաղվածք|Այս տարի [2002-ին] մոտ 60 միլիոն տրանզիստորներ են արտադրվել ... [[Երկիր|երկրագունդի]] [ամեն մի] տղամարդու, կնոջ և երեխայի համար:|<ref>[http://www.embedded.com/shared/printableArticle.jhtml?articleID=9900861 Embedded.com - Երկու տոկոսանոց լուծումը (անգլերեն)]</ref>}}
{{քաղվածք|Այս տարի [2002-ին] մոտ 60 միլիոն տրանզիստորներ են արտադրվել ... [[Երկիր|երկրագունդի]] [ամեն մի] տղամարդու, կնոջ և երեխայի համար:|<ref>[http://www.embedded.com/shared/printableArticle.jhtml?articleID=9900861 Embedded.com - Երկու տոկոսանոց լուծումը (անգլերեն)]</ref>}}


Տրանզիստորի ցածր գինը, դյուրաթեքությունը և հուսալիությունը նրան դարձրել են մի ամենագո սարք։ Տրանզիստորացված մեխանտրոնիկ սխեմաները փոխարինել են էլեկտրոմեխանիկական սարքերին՝ հարմարանքների և մեքենաների ղեկավարման համար։ Հաճախ ավելի հեշտ և ավելի էժան է մի ստանդարտ [[միկրոկոնտրոլեր]] օգտվել և նրա համար մի [[համակարգչային ծրագիր]] գրել, քան մի հավասար մեխանիկական ղեկավարող ֆունկցիա նախագծել:
Տրանզիստորի ցածր գինը, դյուրաթեքությունը և հուսալիությունը նրան դարձրել են մի ամենագո սարք։ Տրանզիստորացված մեխանտրոնիկ սխեմաները փոխարինել են էլեկտրոմեխանիկական սարքերին՝ հարմարանքների և մեքենաների ղեկավարման համար։ Հաճախ ավելի հեշտ և ավելի էժան է մի ստանդարտ [[միկրոկոնտրոլեր]] օգտվել և նրա համար մի [[համակարգչային ծրագիր]] գրել, քան մի հավասար մեխանիկական ղեկավարող ֆունկցիա նախագծել։


== Տեսակներ ==
== Տեսակներ ==
Տող 18. Տող 18.
* Բևեռականությունը լինում է՝ [[NPN տրանզիստոր|NPN]], [[PNP տրանզիստոր|PNP]] (BJT-ները); N-կանալ, P-կանալ (FET-երը)
* Բևեռականությունը լինում է՝ [[NPN տրանզիստոր|NPN]], [[PNP տրանզիստոր|PNP]] (BJT-ները); N-կանալ, P-կանալ (FET-երը)
* Առավելագույն հզորության վարկանիշ՝ ցածր, միջին, բարձր
* Առավելագույն հզորության վարկանիշ՝ ցածր, միջին, բարձր
* Առավելագույն գործողության հաճախականություն՝ ցածր, միջին, բարձր, [[ռադիոհաճախականություն]] (RF), [[գերբարձրհաճախականություն]] (տրանզիստորի առավելագույն էֆեկտիվ հաճախականությունը նշանակվում է <math>f_\mathrm{T}</math> տերմինով, «անցման հաճախականության» համար մի հապավում։ Անցման հաճխականությունը այն հաճախականությունն է, որում տրանզիստորը ենթարկում է մեկի հավասար ուժեղացման գործակից):
* Առավելագույն գործողության հաճախականություն՝ ցածր, միջին, բարձր, [[ռադիոհաճախականություն]] (RF), [[գերբարձրհաճախականություն]] (տրանզիստորի առավելագույն էֆեկտիվ հաճախականությունը նշանակվում է <math>f_\mathrm{T}</math> տերմինով, «անցման հաճախականության» համար մի հապավում։ Անցման հաճխականությունը այն հաճախականությունն է, որում տրանզիստորը ենթարկում է մեկի հավասար ուժեղացման գործակից)։
* Կիրառում՝ փոխանջատում, ընդհանուր նպատակով, լսողական, բարձր լարվածություն, գերբետա, համապատասխանեցված զույգ
* Կիրառում՝ փոխանջատում, ընդհանուր նպատակով, լսողական, բարձր լարվածություն, գերբետա, համապատասխանեցված զույգ
* Ֆիզիկական փաթեթավորում՝ ծակի միջի մետաղ, ծակի միջի պլաստիկ, մակերեսային տեղադրում, գունդ վանդակացանցի զանգված, ուժի բլոկներ
* Ֆիզիկական փաթեթավորում՝ ծակի միջի մետաղ, ծակի միջի պլաստիկ, մակերեսային տեղադրում, գունդ վանդակացանցի զանգված, ուժի բլոկներ
Տող 48. Տող 48.
[[Կատեգորիա:Տրանզիստորներ]]
[[Կատեգորիա:Տրանզիստորներ]]
[[Կատեգորիա:Կիսահաղորդիչ սարքեր]]
[[Կատեգորիա:Կիսահաղորդիչ սարքեր]]

{{Link GA|de}}
{{Link GA|de}}

18:22, 19 Օգոստոսի 2013-ի տարբերակ

Քանի տեսակ տրանզիստորներ

Էլեկտրոնիկայի մեջ, տրանզիստորը մի կիսահաղորդիչ սարք է, որ սովորաբար օգտագործվում է էլեկտրական ազդանշանների ուժեղացման կամ փոխանջատման համար։ Տրանզիստորը կիսահաղորդիչ նյութի մի պինդ մարմնի մասով է սարքվում, և ունի գոնե երեք տերմինալներ (մուտքեր և ելքեր)՝ արտաքին սխեմայի միանալու համար։ Լարվածությունը կամ էլեկրական հոսանքը, որ տրազիստորի մի զույգին է կիրառվում, պատճառ է դառնում նրա տեմինալների մեկ այլ զույգից դուրս հոսող էլեկտրական հոսանքի փոփոխման։ Որովհետև այսպիսով հսկված ելքային էլեկտրական ուժը կարող է հսկող մտնող ուժից շատ ավելի բարձր լինել, տրանզիստորը տալիս է ազդանշանի ուժեղացումը (ամպլիֆիկացիան)։ Տրանզիստորը ժամանակակից էլեկտրական սարքերի հիմնական բլոկն է, և օգտագործվում է ռադիոյում, հեռախոսում, համակարգչում և այլ էլեկտրական համակարգերում։ Որոշ տրանզիստորներ առանձնապես են փաթեթավորվում, սակայն մեծ մասամբ նրանք գտնվում են ինտեգրալ սխեմաներում։

Կարևորություն

Տրանզիստորը շատերի կողմից նշվում է որպես քսաներրորդ դարի «ամենամեծ» գյուտարարությունը,[1] կամ ամենամեծերից։[2] Դա ամբողջ ժամանակակից էլեկտրոնիկայի ամենակարևոր ակտիվ բաղադրիչն է։ Իր ներկա հասարակությունում կարևորությունը հիմնված է իր մասսայական արտադրության ունակության վրա՝ մի հույժ ավտոմատիզացված ընթացքով արտադրմամբ, որը պատճառ է դառնում զարմանալիորեն ցածր տրանզիստորի ծախսի։

Թեև շատ ընկերություններից ամեն մեկը միլիարդից ավել առանձնապես փաթեթավորված տրանզիստորներ է արտադրում ամեն տարի, արտադրված տրանզիստորների մեծ մասը ինտեգրալ սխեմաներում (նաև ԻՍ, միկրոսխեմա կամ չիփ անվանմամբ) են՝ դիոդների, դիմադրությունների, կոնդենսատորների և այլ էլեկտրական բաղադրիչների հետ լրիվ էլեկտրական սխեմա կազմելով։ Մի տրամաբանական էլեմենտ մոտ քսան տրանզիստոր է պարունակում, մինչ մի մինչ 2006 թվականի զարգացած միկրոպրոցեսոր կարող է 1.7 միլիարդ տրանզիստորներ (MOSFET-ներ) օգտվել։[3]

Այս տարի [2002-ին] մոտ 60 միլիոն տրանզիստորներ են արտադրվել ... երկրագունդի [ամեն մի] տղամարդու, կնոջ և երեխայի համար:
- [4]

Տրանզիստորի ցածր գինը, դյուրաթեքությունը և հուսալիությունը նրան դարձրել են մի ամենագո սարք։ Տրանզիստորացված մեխանտրոնիկ սխեմաները փոխարինել են էլեկտրոմեխանիկական սարքերին՝ հարմարանքների և մեքենաների ղեկավարման համար։ Հաճախ ավելի հեշտ և ավելի էժան է մի ստանդարտ միկրոկոնտրոլեր օգտվել և նրա համար մի համակարգչային ծրագիր գրել, քան մի հավասար մեխանիկական ղեկավարող ֆունկցիա նախագծել։

Տեսակներ

Տրանզիստորները դասվում են ըստ՝

  • Կիսահաղորդիչ նյութեր՝ գերմանիում, սիլիցիում, գալիումի արսենիդ, սիլիցիումի կարբիդ, և այլն
  • Կառուցվածք՝ BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, և այլ տեսակներ
  • Բևեռականությունը լինում է՝ NPN, PNP (BJT-ները); N-կանալ, P-կանալ (FET-երը)
  • Առավելագույն հզորության վարկանիշ՝ ցածր, միջին, բարձր
  • Առավելագույն գործողության հաճախականություն՝ ցածր, միջին, բարձր, ռադիոհաճախականություն (RF), գերբարձրհաճախականություն (տրանզիստորի առավելագույն էֆեկտիվ հաճախականությունը նշանակվում է տերմինով, «անցման հաճախականության» համար մի հապավում։ Անցման հաճխականությունը այն հաճախականությունն է, որում տրանզիստորը ենթարկում է մեկի հավասար ուժեղացման գործակից)։
  • Կիրառում՝ փոխանջատում, ընդհանուր նպատակով, լսողական, բարձր լարվածություն, գերբետա, համապատասխանեցված զույգ
  • Ֆիզիկական փաթեթավորում՝ ծակի միջի մետաղ, ծակի միջի պլաստիկ, մակերեսային տեղադրում, գունդ վանդակացանցի զանգված, ուժի բլոկներ
  • Ամպլիֆիկացիայի գործոն hfe (տրանզիստորի բետա)[5]

Ուրեմն, մի առանձին տրանզիստոր կարող է նկարագրվի որպես՝ «սիլիցիում, մակերեսային տեղադրվող, BJT, NPN, ցածր ուժի, բարձր հաճախականության փոխանջատող»

PNP P-կանալ
NPN N-կանալ
BJT JFET MOSFET enh MOSFET dep
BJT, JFET և MOSFET-ի սիմվոլները


Աղբյուրներ

  1. Դենիս Ֆ. Հերիք (2003). Լրատվամիջոցների Կառավարում Հսկաների Դարում՝ Լրագրության Գործարար Շարժընթացը (անգլերեն). Blackwell Publishing. ISBN 0813816998.
  2. Ռոբերտ Վ. Պրայս (2004). Ճանապարհաուղեցույց Ձեռնարկատիրական Հաջողության (անգլերեն). AMACOM Div American Mgmt Assn. էջ 42. ISBN 9780814471906.
  3. Intel-ի Բազմահիմք Պրոցեսորի Կարռուցվածքի Զարգացման Խորապատկերը (անգլերեն)
  4. Embedded.com - Երկու տոկոսանոց լուծումը (անգլերեն)
  5. «Transistor Example». 071003 bcae1.com

Արտաքին հղումներ

Կաղապար:Link GA