Էպիտաքսիա
Էպիտաքսիան (հուն․՝ επι — վրա և ταξισ — դասավորություն), մեկ բյուրեղային նյութի կանոնավոր աճն է մյուսի վրա ավելի ցածր ջերմաստիճաններում, այսինքն՝ մի բյուրեղի կողմնորոշված աճը մյուսի (ենթաշերտի) մակերեսին։ Խստորեն ասած, բոլոր բյուրեղների աճը կարելի է անվանել էպիտաքսիալ. յուրաքանչյուր հաջորդ շերտ ունի նույն կողմնորոշումը, ինչ նախորդը։ Տարբերում են հետերոէպիտաքսիան, երբ սուբստրատի նյութերը և աճող բյուրեղը տարբեր են (գործընթացը հնարավոր է միայն քիմիապես չփոխազդող նյութերի համար, օրինակ՝ այսպես են պատրաստվում շափյուղայի վրա սիլիցիումի կառուցվածքով ինտեգրված փոխարկիչները), և հոմոէպիտաքսիան, երբ դրանք նույնն են։ Բյուրեղի կողմնորոշված աճը մյուսի ծավալի ներսում կոչվում է էնդոտաքսիա։ «Էպիտաքսիա» տերմինը մտցվել է 1928 թվականին ֆրանսիացի հետազոտող Լուիս Ռոյերի կողմից[1][2]։
Էպիտաքսիան հատկապես հեշտ է իրականացնել, եթե վանդակավոր հաստատունների տարբերությունը չի գերազանցում 10%-ը։ Խոշոր անհամապատասխանությունների դեպքում ամենախիտ դասավորված հարթությունները և ուղղությունները միաձուլվում են։ Այս դեպքում վանդակներից մեկի հարթությունների մի մասը չի շարունակվում մյուսի մեջ. նման կախվող հարթությունների եզրերը կազմում են անհամապատասխան տեղաշարժեր։
Էպիտաքսիան տեղի է ունենում այնպես, որ սահմանի ընդհանուր էներգիան, որը բաղկացած է ենթաշերտ-բյուրեղ, բյուրեղ-մեջտեղ և ենթաշերտ-մեջտեղ հատվածներից, նվազագույն է։
Էպիտաքսիան կիսահաղորդչային սարքերի և ինտեգրալ սխեմաի արտադրության հիմնական տեխնոլոգիական գործընթացներից մեկն է։
Ծանոթագրություններ[խմբագրել | խմբագրել կոդը]
- ↑ Stress and Strain in Epitaxy: Theoretical Concepts, Measurements and Applications, 2001, ISBN 978-0-444-50865-2 page 1 "The term «epitaxy» appeared first time for «regular overgrowth of two crystalline species» in the seminal thesis of L. Royer. "
- ↑ Royer, Bull. Soc. Fr. Min. , 51: 7 (1928).
Գրականություն[խմբագրել | խմբագրել կոդը]
- Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников / Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. — ISBN 5-9221-0268-0.